
双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)是一种基于半导体材料的三端电子器件,由两个背靠背的PN结组成,分为NPN型和PNP型两种结构。其三个电极分别为发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)。
NPN型晶体管在正向偏置时,发射极向基极注入电子,由于基极区域非常薄且掺杂浓度低,大部分电子能够穿越基极到达集电极,形成集电极电流。这一过程实现了电流放大功能,是双极性晶体管的核心特性。
双极性晶体管可在两种主要工作模式下运行:线性放大模式和饱和/截止开关模式。在放大模式中,小信号输入可控制大电流输出,广泛应用于音频放大器、射频电路等;在开关模式中,晶体管快速切换于导通与截止状态,适用于数字逻辑电路、电源管理等领域。
尽管场效应管(FET)在某些方面已取代BJT,但双极性晶体管仍具有不可替代的优势:
然而,其缺点也不容忽视:
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